特許
J-GLOBAL ID：200903033180349694

面発光半導体レーザおよび光伝送モジュールおよび光交換装置および光伝送システム

発明者：
高橋 孝志

高橋 孝志 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-153753
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347671
出願日： 2002年05月28日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 コンタクト層における光吸収を抑制し、低閾電流と高い光出力を得ることの可能な面発光半導体レーザおよび光伝送モジュールおよび光交換装置および光伝送システムを提供する。【解決手段】 p型GaAsコンタクト層108は、p型DBR106の表面から数えて、レーザ光波長の1/4(1/4の奇数倍)の位置が含まれないように配置されている。そのため、p型GaAsコンタクト層108は、面発光半導体レーザ素子内部における光の定在波分布において、腹の位置からずれた位置(腹の位置が含まれないような位置)に設けられている。これによって、p型GaAsコンタクト層108内部における光強度が低下するため、光がp型GaAsコンタクト層108で吸収されにくい構造となっている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、低屈折率層と高屈折率層とをレーザ光波長の1/4の光学的膜厚で交互に積層した下部半導体多層膜反射鏡と、活性層を含む共振器構造と、低屈折率層と高屈折率層とをレーザ光波長の1/4の光学的膜厚で交互に積層した上部半導体多層膜反射鏡とが順次に積層され、上部の光出射部から基板に対して垂直上方に光が出射されるように構成されている面発光半導体レーザにおいて、上部の光出射部では、上部半導体多層膜反射鏡の低屈折率層上に、位相調整層,コンタクト層,高屈折率層が順次積層されており、位相調整層,コンタクト層,高屈折率層の光学的膜厚の総和は、レーザ光波長の0.5+m×0.25(m=1,2,3...)倍になっており、コンタクト層は、上部半導体多層膜反射鏡の低屈折率層表面から数えて、レーザ光波長の1/4の奇数倍の位置が含まれないように配置されており、光出射部の周辺では、上部半導体多層膜反射鏡の低屈折率層上に、位相調整層,コンタクト層が順次に積層されており、コンタクト層上に上部オーミック電極が形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/323 610
FI (2件)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/323 610
Fターム (4件)：
5F073AA51 ,  5F073AA53 ,  5F073AB17 ,  5F073CA02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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