特許
J-GLOBAL ID：200903063855918770
垂直共振器型半導体発光素子及び垂直共振器型半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-299425
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111054
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】基板表面側DBRミラーに、高Al組成のAlGaAsを用いた垂直共振器型半導体発光素子において、吸湿に伴う素子の特性劣化がなく信頼性の高い素子を得ることを可能にする。【解決手段】基板表面側DBRミラーの上に、耐湿層としてはたらくInGaP層を含む半導体層を設けることにより、高Al組成のAlGaAs系DBRミラーにおける吸湿に伴う特性劣化を阻止する。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成された第1の半導体分布ブラッグ反射型ミラーと、この第1の半導体分布ブラッグ反射型ミラー上に形成された少なくとも発光層となる活性層を含む半導体層と、この活性層を含む半導体層上に形成された構成元素にAlを含む第2の半導体分布ブラッグ反射型ミラーと、前記第2の半導体分布ブラッグ反射型ミラー上に設けられたInxGa1-xP(0≦x≦1)層を含む半導体層とを具備することを特徴とする垂直共振器型半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 B
, H01S 5/183
5F041AA13
, 5F041AA34
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA36
, 5F041CA37
, 5F041CB15
, 5F073AA51
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA14
, 5F073DA14
, 5F073EA28
