特許

J-GLOBAL ID：200903033185139345

低導電率の支持板を有するスパッターリングターゲットアセンブリとその製造方法

発明者： ベイリー,ロバート,エス. ,  ホルコム,メルビン,ケイ.
出願人/特許権者： トーソー エスエムディー,インク.
代理人 (1件)： 狩野 彰
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-520307
公開番号（公開出願番号）：特表2007-534834
出願日： 2004年07月13日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

ターゲットと支持板とから成るアセンブリとその製造方法。前記支持板は45% IACS以下の導電率を有する材料で作られ、該材料は、Al合金、Cu合金、マグネシウム、マグネシウム合金、モリブデン、モリブデン合金、亜鉛、亜鉛合金、ニッケル、およびニッケル合金から成るグループから選択される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ターゲットと支持板とから成るスパッターリングターゲットアセンブリであって、 前記支持板が45% IACS以下の導電率を有する材料で作られ、該材料が、Al合金、Cu合金、マグネシウム、マグネシウム合金、モリブデン、モリブデン合金、亜鉛、亜鉛合金、ニッケル、およびニッケル合金から成るグループから選択される、 ことを特徴とするアセンブリ。

IPC (6件)：

C22C 9/04 ,  C23C 14/34 ,  C22C 9/02 ,  C22C 21/06 ,  C22C 21/10 ,  C22C 21/12

FI (6件)：

C22C9/04 ,  C23C14/34 C ,  C22C9/02 ,  C22C21/06 ,  C22C21/10 ,  C22C21/12

Fターム (8件)：

4K029BA03 ,  4K029BA06 ,  4K029BA12 ,  4K029BA16 ,  4K029BA17 ,  4K029CA05 ,  4K029DC21 ,  4K029DC39

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-222047
  
• 特開平1-222047
  
• スパッタリングターゲット用バッキングプレート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-008525   出願人：住友化学工業株式会社
• スパッタリングタ-ゲット用バッキングプレ-ト及びスパッタリングタ-ゲット/バッキングプレ-ト組立体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-153100   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• スパッタリング用チタンターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-331110   出願人：日立金属株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• JISハンドブック 非鉄 1986, 198604, 239-249,363-364
• JISハンドブック 非鉄 1986, 198604, 239-249,363-364