特許
J-GLOBAL ID：200903033196906836

半導体デバイスおよびそれを応用した光半導体デバイス

発明者：
山村 真一

山村 真一 について

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川崎 和重

川崎 和重 について

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吉田 保明

吉田 保明 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-059107
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261379
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 レーザダイオード内のコンタクト層とレーザダイオードの端面の間にコンタクト層に隣接する電流非注入領域を有するレーザダイオードなどの半導体デバイスおよび光半導体デバイスにおいて、電流密度が局部的に増大し、局部的に発熱が起こるのを改善し、これらに伴うデバイスの故障を低減する。【解決手段】 コンタクト層と電流非注入領域上の金属電極層の厚さをw、またこの金属電極層上のメッキ層の厚さをDとし、コンタクト層と電流非注入領域の境界に対応する位置を原点とし、この原点からレーザダイオードの内部へ向かう方向を正方向、原点からレーザダイオードの端面へ向かう方向を負方向として、メッキ層の端面位置の原点からの距離dが、d/w・[1-w/(w+D)]<20を満足するように設定する。
請求項（抜粋）：
コンタクト層、このコンタクト層に隣接して設けられた電流非注入領域、前記コンタクト層と電流非注入領域に跨って接合する厚さwの金属電極層、および前記金属電極層の上に形成され前記コンタクト層と電流非注入領域との境界から所定距離離れた位置に端面を有する厚さDのメッキ層を備え、前記コンタクト層と電流非注入領域との境界を原点とし、この原点から前記電流非注入領域に向かう方向を負方向とし、前記原点から前記コンタクト層に向かう方向を正方向とした場合に、前記メッキ層の端面の前記原点からの距離dが、d/w・[1-w/(w+D)]<20の関係を満足するように設定されている半導体デバイス。
IPC (2件)：
H01S 5/042 610 ,  H01S 5/16
FI (2件)：
H01S 5/042 610 ,  H01S 5/16
Fターム (22件)：
5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA44 ,  5F073AA62 ,  5F073AA87 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA13 ,  5F073CA14 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB21 ,  5F073DA11 ,  5F073DA14 ,  5F073DA15 ,  5F073DA21 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA27 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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