特許
J-GLOBAL ID：200903055327880947
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188139
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015859
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 高出力動作時の信頼性に優れた窓構造の半導体レーザ素子を高歩留りで作製する。【解決手段】 電流ブロック層110をエッチングして電流非注入領域115を形成するためのマスクとしてSiO2膜を用いる。このSiO2膜により直下の結晶にGa空孔を生じさせ、これを量子井戸活性層103に拡散させて無秩序化させることにより窓構造領域112を形成する。両領域の位置合わせ工程等を行わなくても、セルフアラインで電流非注入領域115と窓構造領域112とを形成することができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1導電型の第1クラッド層と第2導電型の第2クラッド層と、両クラッド層で挟まれた量子井戸活性層を備え、該第2クラッド層上に、少なくとも第2導電型の第3クラッド層を共振器方向のリッジストライプ状に有する半導体レーザ素子において、該リッジストライプの両側面、および少なくとも光出射端面およびその近傍の該リッジストライプ上部分に第1導電型の半導体からなる電流ブロック層を備え、該端面およびその近傍に量子井戸活性層を無秩序化した窓構造領域を有する半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 5/16
, H01S 5/227
, H01S 5/343
H01S 3/18 648
, H01S 3/18 665
, H01S 3/18 677
5F073AA13
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA86
, 5F073CA05
, 5F073CA07
, 5F073CA12
, 5F073CA14
, 5F073DA15
, 5F073EA28
