特許
J-GLOBAL ID：200903033215120660

カーボンナノチューブの転写方法

発明者：
塩崎 秀喜

塩崎 秀喜 について


出願人/特許権者：
日立造船株式会社

日立造船株式会社 について


代理人 (4件)： 日比 紀彦 ,  岸本 瑛之助 ,  渡邊 彰 ,  清末 康子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-364869
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129406
出願日： 2003年10月24日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 カーボンナノチューブの垂直性を維持しつつ所定の位置に確実にカーボンナノチューブのパターンニングを行うことができる方法を提供する。【解決手段】 転写先基板上に未硬化シリコン樹脂層を形成する。同樹脂層における、カーボンナノチューブを転写すべきでない部分のみを光硬化される。未硬化部を溶剤で溶出して除く。生じた凹溝に導電性接着剤を充填する。転写先基板上の接着剤充填部と転写元基板上に成長させたカーボンナノチューブとを対向させる。転写先基板と転写元基板を加圧加熱することによりカーボンナノチューブの先端部を接着剤充填部内に差し込ませる。冷却後転写元基板から転写先基板を離すことにより、転写元基板上のカーボンナノチューブを転写先基板上に所定のパターンで転写する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
転写先基板上に未硬化シリコン樹脂層を形成し、同樹脂層における、カーボンナノチューブを転写すべきでない部分のみを光硬化され、未硬化部を溶剤で溶出して除き、生じた凹溝に導電性接着剤を充填し、転写先基板上の接着剤充填部と転写元基板上に成長させたカーボンナノチューブとを対向させ、転写先基板と転写元基板を加圧加熱することによりカーボンナノチューブの先端部を接着剤充填部内に差し込ませ、冷却後転写元基板から転写先基板を離すことにより、転写元基板上のカーボンナノチューブを転写先基板上に所定のパターンで転写する、カーボンナノチューブの転写方法。
IPC (1件)：
H01J9/02
FI (1件)：
H01J9/02 B
Fターム (19件)：
4G146AA11 ,  4G146BA04 ,  4G146BB23 ,  4G146CB03 ,  4G146CB11 ,  4G146CB40 ,  5C127AA01 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127CC10 ,  5C127DD13 ,  5C127DD23 ,  5C127DD38 ,  5C127DD39 ,  5C127DD43 ,  5C127DD45 ,  5C127DD57
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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