特許
J-GLOBAL ID：200903033262247822

半導体装置製造工程における合わせ誤差測定方法及び露光方法並びに重ね合わせ精度管理方法

発明者：
染矢 篤志

染矢 篤志 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256024
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199414
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 加工精度および管理精度を維持してスループット向上が可能な、合わせ精度の測定方法および露光方法と、合わせ精度管理方法を提供する。【解決手段】 フィールド間合わせ誤差とフィールド内合わせ誤差とは、理論上独立に取り扱うことができ、さらに倍率、回転といったフィールド内成分の誤差のバラツキは通常は無視し得る程小さいので、従来のようにウエハWからサンプリングされる露光フィールドFのすべてに多点測定を行うことなく、少数の露光フィールドのみに多点測定を行うだけで実用上充分な精度を実現する。1枚のウエハWから9個の露光フィールドFをサンプリングし、そのうち中央の1個でフィールド内5点測定、周辺の8個でフィールド内1点測定を行うことで、測定地点Pの総数を13個とし、従来の45地点を大幅に削減する。
請求項（抜粋）：
半導体装置製造工程で基板上に繰り返されるリソグラフィのショットに対応して該基板上に複数形成される露光フィールドにつき発生する合わせ誤差の測定方法において、前記基板上からサンプリングされるn個(nは2以上の自然数)の露光フィールド中、m個(mは1≦m≦n-1を満たす自然数)についてはフィールド内多点測定を行い、残る(n-m)個についてはフィールド内1点測定を行うことを特徴とする合わせ誤差測定方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00
FI (3件)：
H01L 21/30 507 Z ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 位置合わせ方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-304525   出願人：株式会社ニコン
  • 特開昭62-084516
  • 電子線露光方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-089357   出願人：日本電気株式会社
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