半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124011
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335753
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】多層配線のために配線層間の層間絶縁膜を平坦化すること。【構成】第1配線層5を有する半導体基板1に、シリコン窒化膜4及び第1シリコン酸化膜7をこの順で成膜する工程、該第1シリコン酸化膜7上にテトラエチルオルソシリケート、シロキサン或いはジシラザンを原料として常圧CVDにより第2シリコン酸化膜10を堆積する工程、該第2シリコン酸化膜10上に第2配線層9を形成する工程を含むことからなる半導体装置の製造方法と、この製造方法により製造される半導体装置。

請求項（抜粋）：

第1配線層を有する半導体基板に、シリコン窒化膜及び第1シリコン酸化膜をこの順で有し、該第1シリコン酸化膜上にテトラエチルオルソシリケート、シロキサン或いはジシラザンを原料とする常圧CVDにより形成された第2シリコン酸化膜を有し、該第2シリコン酸化膜上に第2配線層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 M , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-252814 出願人：川崎製鉄株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-027516 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭63-207168

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