特許

J-GLOBAL ID：200903033326938514

半導体装置

発明者： 後藤 康 ,  藤森 司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-040030
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200233
出願日： 2008年02月21日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

【課題】MEMS構造体に対して外部空間からの圧力や振動信号を直接受信できるように構成し、かつ、MEMS構造体と集積回路とを形成した半導体チップをバンプ電極でモジュール基板にフェイスダウン実装することにより、小型化を実現できる技術を提供する。【解決手段】半導体基板1の一方の面に集積回路が形成され、半導体基板1の他方の面にMEMS構造体が形成されている。そして、集積回路上に形成されているバンプ電極BPによって実装基板にフリップチップ接続する構造となっている。このとき、トランスデューサは外部空間に向いた状態で配置できる。このため、トランスデューサが外部空間と直接対話する機能を損なうことなく、半導体装置を小型化することができる。なお、集積回路とMEMS構造体とは半導体基板1を貫通する貫通電極20a、20bにより電気的に接続される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップを備え、 前記半導体チップは、 (a)半導体基板と、 (b)前記半導体基板の第1面に形成された半導体素子と、 (c)前記半導体素子上に形成された多層配線層と、 (d)前記多層配線層の最上層に形成されたパッドと、 (e)前記パッド上に形成されたバンプ電極とを有し、 前記バンプ電極を実装基板上に形成されている端子と接続することにより、前記半導体チップを前記実装基板に実装する半導体装置であって、 前記半導体基板の前記第1面と反対側の第2面には、電気信号と物理量とを変換するトランスデューサが形成されており、 前記トランスデューサは、 (f1)前記半導体基板の前記第2面上に形成された第1絶縁膜と、 (f2)前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と、 (f3)前記第2絶縁膜に形成された空洞部と、 (f4)前記空洞部を覆うように形成されたダイアフラム膜とを有し、 前記トランスデューサは、外力による前記ダイアフラム膜の機械的変形を電気信号に変換する機能を有し、 前記多層配線層と前記トランスデューサとは、前記半導体基板を貫通する貫通電極によって電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/768 ,  G01L 9/00 ,  H01L 29/84 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06

FI (7件)：

H01L27/04 A ,  H01L21/90 A ,  G01L9/00 303A ,  G01L9/00 305A ,  H01L29/84 B ,  H01L29/84 Z ,  H01L27/06 102A

Fターム (98件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA07 ,  4M112CA11 ,  4M112DA02 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA06 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA14 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112FA20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH29 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK25 ,  5F033MM08 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033VV07 ,  5F033VV13 ,  5F038AR02 ,  5F038AZ02 ,  5F038AZ09 ,  5F038BE07 ,  5F038CA12 ,  5F038CA16 ,  5F038CD20 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 容量型半導体センサ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-061564   出願人：株式会社デンソー
• 圧力センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-201943   出願人：株式会社日立ユニシアオートモティブ
• 圧力センサ混載半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-284013   出願人：株式会社日立製作所