特許
J-GLOBAL ID：200903073180581483

圧力センサ混載半導体装置およびその製造方法

発明者：
横山 夏樹

横山 夏樹 について

, 
町田 俊太郎

町田 俊太郎 について

, 
後藤 康

後藤 康 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-284013
公開番号（公開出願番号）：特開2006-126182
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】圧力センサ混載半導体装置の小型化、高機能化、高信頼化を推進する。【解決手段】圧力センサ混載半導体装置は、第5層配線22の一部を圧力検知部の下部電極22aとして用いる。下部電極22a上に形成された酸化シリコン膜24の一部は空洞25となっている。酸化シリコン膜24上に形成されたタングステンシリサイド膜26上には窒化シリコン膜28が形成されている。窒化シリコン膜28は、孔27を塞ぐと共に、外部から圧力センサ混載半導体装置への水分の浸入を抑える役割を有する。窒化シリコン膜28/タングステンシリサイド膜26の積層膜は、圧力センサのダイヤフラムを構成している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された電子回路と圧力センサとを有する圧力センサ混載半導体装置であって、前記圧力センサの圧力検知部は、前記電子回路の最上層配線または前記最上層配線よりも上層の導電層を用いて形成されていることを特徴とする圧力センサ混載半導体装置。
IPC (4件)：
G01L 9/00 ,  G01L 17/00 ,  H01L 29/84 ,  B60C 23/04
FI (6件)：
G01L9/00 305H ,  G01L9/00 303J ,  G01L17/00 301B ,  H01L29/84 Z ,  B60C23/04 G ,  B60C23/04 N
Fターム (28件)：
2F055AA12 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG12 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA12 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA11 ,  4M112DA14 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA12 ,  4M112EA14 ,  4M112FA20
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (6件)
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