特許
J-GLOBAL ID：200903054847982665

容量型半導体センサ装置

発明者：
太田 為治

太田 為治 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 佐藤 強 ,  小川 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-061564
公開番号（公開出願番号）：特開2004-271312
出願日： 2003年03月07日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】スタック構造を備えるものにあって、センサチップと回路チップとの間の電気的接続部における寄生容量による悪影響を防止して特性の向上を図り、しかも設計の自由度を高める。【解決手段】センサチップ12を回路チップ13に対しフェースダウン状態とし、各電極パッド12aと各電極パッドとの間をバンプ15により接続する。このとき、4個のバンプ15(各電極パッド12a)を、センサチップ12の各辺の中央部に配置する。そのマルチチップモジュールの状態で、回路チップ13をパッケージ14に対しフェースダウン状態として、各電極パッド13aと各電極リードとの間をバンプ16により接続する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
力学量検出部を有するセンサチップを、信号処理回路を有する回路チップに実装してなるスタック構造を備えると共に、それらをパッケージ内に収容してなる容量型半導体センサ装置であって、 前記センサチップは前記回路チップに対してバンプ接続により実装されていると共に、 前記回路チップは前記パッケージに対してバンプ接続により実装されていることを特徴とする容量型半導体センサ装置。
IPC (3件)：
G01P15/125 ,  H01L25/16 ,  H01L29/84
FI (3件)：
G01P15/125 Z ,  H01L25/16 A ,  H01L29/84 Z
Fターム (8件)：
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112DA20 ,  4M112EA02 ,  4M112FA05 ,  4M112FA09 ,  4M112GA01
引用特許：
審査官引用 (9件)
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