特許

J-GLOBAL ID：200903033331525090

半導体装置およびその製造方法

発明者： 安彦 仁
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-079229
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268551
出願日： 2004年03月18日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】 下層配線中に簡便な方法で安定的にキャパシタを設ける。【解決手段】 半導体装置100において、シリコン基板101上に下部電極105、エッチングストッパ膜107、第一の絶縁膜109をこの順に設ける。第一の絶縁膜109中に下部電極105の上面に接する接続プラグ111を設ける。接続プラグ111の側方に容量膜112、金属膜113をこの順に設け、容量素子114を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、 前記絶縁膜中に設けられた柱状体からなる第1導電体と、 前記第1導電体の周囲に、前記第1導電体の側面から離間して設けられた第2導電体と、 前記第1導電体と、前記第2導電体との間に設けられた容量膜と、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (1件)：

H01L27/04 C

Fターム (12件)：

5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038AV06 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-220781   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (2件)

• 集積回路およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-101632   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-216577   出願人：株式会社ルネサステクノロジ