特許
J-GLOBAL ID：200903033361163878

GaInNAsの結晶成長方法および発光素子の製造方法

発明者：
西田 哲朗

西田 哲朗 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-355071
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158079
出願日： 2001年11月20日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 結晶品質が向上したGaInNAsの結晶成長方法を提供する。【解決手段】 GaInNAsの結晶成長方法は、有機金属気相成長方法により、GaInNAsを結晶成長させる方法である。GaInNAsを結晶成長させる際に使用するキャリアガスは、窒素である。
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長方法により、GaInNAsを結晶成長させる方法であって、前記GaInNAsを結晶成長させる際に使用するキャリアガスは、窒素である、GaInNAsの結晶成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01S 5/323
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01S 5/323
Fターム (25件)：
5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE23 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F073AA04 ,  5F073AA55 ,  5F073AA73 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM