特許
J-GLOBAL ID：200903033385535849
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-139023
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342903
出願日： 2003年05月16日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】配線パターンとバンプ電極との接続信頼性を向上させることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置は、表面に配線パターンを有するフィルム基板と、表面に電極を有してフィルム基板上に実装される半導体チップと、予めフィルム基板あるいは半導体チップに塗布され、半導体チップの搭載後にフィルム基板と半導体チップの間に充填される絶縁性の樹脂とを備え、配線パターンは半導体チップの電極へ向かって先細りとなる断面形状の突起部を有し、その突起部が電極に食い込んで電気的に接続される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
表面に配線パターンを有するフィルム基板と、表面に電極を有してフィルム基板上に実装される半導体チップと、予めフィルム基板あるいは半導体チップに塗布され、半導体チップの搭載後にフィルム基板と半導体チップの間に充填される絶縁性の樹脂とを備え、配線パターンは半導体チップの電極へ向かって先細りとなる断面形状の突起部を有し、その突起部が電極に食い込んで電気的に接続される半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F044KK03
, 5F044KK17
, 5F044LL11
