特許

J-GLOBAL ID：200903033386245275

シリコン酸化膜の形成方法および形成用組成物

発明者： 加藤 仁史 ,  志保 浩司
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-284664
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092297
出願日： 2001年09月19日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】 緻密な膜質のシリコン酸化膜を簡便な方法で製造する方法およびそのために用いられる組成物を提供すること。【解決手段】 (A)(a1)式SinRm(ここで、nは3以上の整数を表し、mはn〜(2n+2)の整数を表しそして複数個のRは、互いに独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基またはハロゲンを表す)で表される化合物および(a2)有機ヒドロキシ化合物および有機カルボン酸よりなる群から選ばれる化合物との反応生成物、ならびに(B)溶媒を含有する組成物。この組成物を基体上に塗布し、次いで熱および/または光で処理するシリコン酸化膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

(A)(a1)式SinRm(ここで、nは3以上の整数を表し、mはn〜(2n+2)の整数を表しそして複数個のRは、互いに独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基またはハロゲンを表す)で表される化合物および(a2)有機ヒドロキシ化合物および有機カルボン酸よりなる群から選ばれる化合物との反応生成物、ならびに(B)溶媒を含有することを特徴とする組成物。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  C01B 33/12

FI (2件)：

H01L 21/316 G ,  C01B 33/12 C

Fターム (15件)：

4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH29 ,  4G072JJ38 ,  4G072JJ41 ,  4G072MM01 ,  4G072MM02 ,  4G072RR12 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-056289   出願人：日立化成工業株式会社
• シリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-133185   出願人：シャープ株式会社
• 絶縁膜の形成方法および絶縁膜パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-331997   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-266525