特許
J-GLOBAL ID：200903033398737947

III-V族窒化物半導体素子

発明者：
瀧 哲也

瀧 哲也 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370501
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136177
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】III-V族窒化物化合物半導体素子の静電耐圧を向上させる。【解決手段】n型コンタクト層104の一部露出された部分の上にn電極140が形成されており、p型コンタクト層108の上にp電極110が形成されている。n電極140とp電極110とを接続し、n型コンタクト層104、発光層106、p型層107、p型コンタクト層108の側壁上に、ZnO 膜より成る保護膜130がスパッタリングによ形成されている。保護膜130は、透光性薄膜p電極110の端部とn電極140の端部で接続されており、厚さ5 〜10μm に形成されている。過電圧がn電極140とp電極110との間に印加されると、保護膜の非線形抵抗特性により保護膜を電流がバイパスし、両電極間の電圧は上昇しない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III -V族窒化物半導体を各層の材料として用い、少なくとも、第1電極と、その第1電極が接続される第1導電型の第1層と、第2電極と、その第2電極が接続される第2導電型の第2層とを有する半導体素子において、 前記第1電極と前記第2電極との間に非線形抵抗特性を有する保護膜を設けたことを特徴とするIII -V族窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L21/28
FI (3件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B
Fターム (20件)：
4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  5F041AA21 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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