特許
J-GLOBAL ID：200903078912731639

III族窒化物半導体発光素子

発明者：
柴田 直樹

柴田 直樹 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-076714
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243701
出願日： 1996年08月22日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 静電気耐性が強く、取り扱いが容易なIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n伝導型の第1の半導体層と、p伝導型の第2の半導体層と、第1の半導体層と第2の半導体層との間に形成される発光層と、記第1の半導体層へ電気的に接続される第1の電極と、第2の半導体層へ電気的に接続される第2の電極と、を備えてなる素子本体部と、並びに記第1の電極と第2の電極と間に素子本体部と逆方向でかつ並列に設けれ、素子本体部とは溝で分離されるダイオード部と、を備えてなるIII族窒化物半導体発光素子。
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体(AlXGaYIn1ーXーYN;X=0、Y=0、X=Y=0を含む)で形成される発光素子であって、第1の伝導型の第1の半導体層と、第2の伝導型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成される発光層と、前記第1の半導体層へ電気的に接続される第1の電極と、前記第2の半導体層へ電気的に接続される第2の電極と、を備えてなり、前記第1の電極と前記第2の電極と間に前記発光素子と逆方向のダイオードが前記発光素子と並列に設けられていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
Fターム (21件)：
5F041AA21 ,  5F041AA23 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F041CB23 ,  5F041CB25 ,  5F041CB32
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-125033   出願人：豊田合成株式会社
  • 3族窒化物半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-252896   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
  • 特開昭62-299092
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