特許

J-GLOBAL ID：200903033426282080

フォトレジスト用高分子化合物の製造方法

発明者： 蒲原 茂樹 ,  木下 明
出願人/特許権者： ダイセル化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-011035
公開番号（公開出願番号）：特開2006-199764
出願日： 2005年01月19日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：

【課題】フォトレジスト用樹脂組成物の樹脂成分として用いた場合、半導体製造工程の製膜に良好な品質を備えたフォトレジスト用高分子化合物の製造法を提供する。【解決手段】酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有するモノマーAと、極性基含有脂環式骨格を有するモノマーBとを少なくとも含むモノマーおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させ、重合溶液を貧溶媒(沈殿溶媒)に添加して、ポリマーを沈殿させ、沈殿を遠心分離機により遠心分離で、溶媒を除去後、湿結晶をグリコール系溶媒に溶解し、減圧蒸留にて濃縮してフォトレジスト高分子化合物の溶液を製造する方法において、遠心分離での遠心力が400〜700G(G;重力加速度)で脱液をすることを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有するモノマーAと、極性基含有脂環式骨格を有するモノマーBとを少なくとも含むモノマーおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させ、重合溶液を貧溶媒(沈殿溶媒)に添加して、ポリマーを沈殿させ、沈殿を遠心分離機により遠心分離で、溶媒を除去後、湿結晶をグリコール系溶媒に溶解し、減圧蒸留にて濃縮してフォトレジスト高分子化合物の溶液を製造する方法において、遠心分離での遠心力が400〜700G(G;重力加速度)で脱液をすることを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造法。

IPC (4件)：

C08F 2/06 ,  C08F 6/12 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039

FI (4件)：

C08F2/06 ,  C08F6/12 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 601

Fターム (33件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  4J011AA05 ,  4J011BB12 ,  4J011HA03 ,  4J011HB06 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA16P ,  4J100BA16Q ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BC01P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100GC07 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (3件)

• ビニル基を含有する単量体及びその重合体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-280695   出願人：日本電気株式会社
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050264   出願人：富士通株式会社
• ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-188853   出願人：日本電気株式会社