電界効果型トランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-147526
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343814
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】InGaPチャネル層を有する電界効果型トランジスタにおいて、大きい電流振幅を可能とし、良好な高出力特性を実現する。【解決手段】n-InGaPチャネル層3を有する電界効果型トランジスタにおいて、ゲート電極8とドレイン電極7との間に半導体結晶の上部に絶縁膜9を介してゲート電極8と接続された電界制御電極10を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくともInGaP層と、前記半導体基板に離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、該ソース電極とドレイン電極との間にゲート電極とが配置された電界効果型トランジスタにおいて、前記InGaP層の一部または全部がチャネル層として機能し、前記ゲート電極とドレイン電極との間に、絶縁膜を介して電界制御電極が配置され、該電界制御電極と前記ゲート電極とが電気的に接続されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/43 , H01L 29/812 , H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/46 H , H01L 29/48 E

Fターム (40件)：

4M104AA04 , 4M104BB11 , 4M104BB14 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF07 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 4M104FF27 , 4M104GG12 , 4M104HH20 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ05 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL09 , 5F102GM04 , 5F102GM06 , 5F102GM08 , 5F102GN05 , 5F102GR04 , 5F102GS04 , 5F102GS06 , 5F102GT03 , 5F102GV07 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-065673 出願人：富士通株式会社
半導体装置及び送受信切り替え型アンテナスイッチ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-033221 出願人：沖電気工業株式会社
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-268394 出願人：日本電気株式会社

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