半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212841
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033477
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】チャネリングを防止しつつ、増速拡散を防止し、位置精度良く、急峻な不純物濃度分布を有するローカルチャネルを形成する技術を提供すること。【解決手段】シリコン基板1の表面に犠牲膜3を形成した後、レジストマスク11を介して垂直な方向からイオン注入を行い、ローカルチャネル14を形成する。犠牲膜3の膜厚を10nm以上100nm以下とする。イオン注入のイオン種として、インジウムを用いる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に膜厚10nm以上100nm以下の犠牲膜を形成する工程と、この上に、開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、半導体基板に対して略垂直な方向から、前記犠牲膜を介してイオン注入を行い、不純物導入領域を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 301 H , H01L 21/265 H , H01L 21/265 U , H01L 27/08 321 C

Fターム (31件)：

5F040DA00 , 5F040DA10 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EC01 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040ED03 , 5F040EE05 , 5F040EF02 , 5F040EF11 , 5F040EH02 , 5F040EK05 , 5F040FA04 , 5F040FB02 , 5F040FB04 , 5F040FC10 , 5F040FC14 , 5F040FC15 , 5F048AA08 , 5F048AB03 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BG14 , 5F048DA18 , 5F048DA23

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-245442
特開平3-175678
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-201414 出願人：ソニー株式会社

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