特許

J-GLOBAL ID：200903033500712229

炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法

発明者： 河田 泰之
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-027188
公開番号（公開出願番号）：特開2009-188221
出願日： 2008年02月07日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：

【課題】高速でエッチングでき、トレンチ底部にマイクロトレンチが発生せず、さらにトレンチ側壁の角度を85°以上に制御できる炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法の提供。【解決手段】SF6ガスの流量に対してO2ガス量を0%からSF6ガス流量の33%までの範囲、ArをSF6流量の2.5倍から5倍の流量の範囲、圧力条件を2.5Paから2.7Paの範囲から選ばれる混合ガスに対して、誘導結合プラズマ生成電力を500Wから600W、RFバイアス電力を前記誘導結合プラズマ生成電力の1.5%以下の条件で生成させる誘導結合プラズマを用いてトレンチエッチングする方法。【選択図】図19

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜をマスクとして用い、エッチングガスとしてSF6、O2、Arの混合ガスから生成される誘導結合プラズマを用いて炭化珪素半導体基板の表面からトレンチを形成する炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法において、前記SF6ガスの流量に対してO2ガス量を0%からSF6ガス流量の33%までの範囲、ArをSF6流量の2.5倍から5倍の流量の範囲、圧力条件を2.5Paから2.7Paの範囲から選ばれる混合ガスに対して、誘導結合プラズマ生成電力を500Wから600W、RFバイアス電力を前記誘導結合プラズマ生成電力の1.5%以下の条件で生成させる誘導結合プラズマを用いてトレンチエッチングすることを特徴とする炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12

FI (3件)：

H01L29/78 658G ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-264278   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-068896   出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (1件)

• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-155624   出願人：富士電機ホールディングス株式会社