炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-155624
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324503
出願日： 2006年06月05日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【目的】SiC半導体基板に3μmを超える深いトレンチエッチングを可能にすると共に、トレンチ底部を、電界集中を引き起こして耐圧特性に影響を及ぼす程度の鋭角を有する凹凸形状を形成することなく、平坦に整形することのできるドライエッチング工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法の提供。【構成】高密度誘導結合プラズマを用いたドライエッチングが、順に行われるエッチング条件の異なる第一ドライエッチングと第二ドライエッチングを備えている炭化珪素半導体装置の製造方法とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基板上に該基板とは導電型の異なるウエル層とこのウエル層の表面層に形成される前記基板と同導電型のエミッタ領域とを形成後、前記基板表面にSiO2膜を用いて所要の選択的なエッチングマスクを形成し、前記基板表面に露出する前記エミッタ領域表面に高密度誘導結合プラズマを用いたドライエッチングによりトレンチゲート構造用のトレンチを形成するエッチング工程を有する炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記高密度誘導結合プラズマを用いたドライエッチングが、順に行われるエッチング条件の異なる第一ドライエッチングと第二ドライエッチングを備えていることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L29/78 653A , H01L29/78 652T , H01L29/78 658E , H01L29/78 658G , H01L21/302 105A

Fターム (10件)：

5F004CA02 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004EA06 , 5F004EA37 , 5F004EB04

引用特許：

出願人引用 (6件)

特許第2992596号公報
特許第2661390号公報
特許第3593195号公報

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審査官引用 (6件)

炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-167974 出願人：松下電器産業株式会社
炭化珪素半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-361885 出願人：トヨタ自動車株式会社, 財団法人ファインセラミックスセンター
窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-206301 出願人：三洋電機株式会社

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