特許

J-GLOBAL ID：200903033510420846

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 植木 浩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174516
公開番号（公開出願番号）：特開平8-036894
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 メモリセルアレイのデータをバイト単位に消去できる不揮発性半導体記憶装置の提供。【構成】 対をなしているメモリセルトランジスタ列のメモリセルトランジスタM,M...のドレインを、各対ごとに第1ビット線B1 ,B2 と接続する。メモリセルトランジスタ列のメモリセルトランジスタM,M...のソースを各列ごとに第2ビット線B21,B22,B23,B24と接続する。第1ビット線B1 ,B2 と、第2ビット線B21,B22,B23,B24とを二層に分離して形成する。

請求項（抜粋）：

メモリセルトランジスタ群におけるメモリセルのデータをバイト単位に消去できる不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルトランジスタのドレインに接続され、第1層に形成された第1ビット線と、メモリセルトランジスタのソースに接続され、第2層に形成された第2ビット線と、メモリセルトランジスタを選択するワード線と、該ワード線に、高電位,中間電位及び接地電位を与えるワード線デコーダとを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

G11C 17/00 530 B ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-205918   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-102676   出願人：富士通株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-208073   出願人：三菱電機株式会社
• 不揮発性半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-184235   出願人：三菱電機株式会社