半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-328461
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172061
出願日： 1995年12月18日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】SOIウェハのシリコン素子基板のトレンチ型分離領域形成プロセスにおいて、プロセスに起因する応力を緩和し、シリコン素子基板中の結晶欠陥を抑制する。【解決手段】シリコン素子基板3に形成されたトレンチ8内およびシリコン素子基板3表面の酸化膜4上にポリシリコン膜5Aを堆積し、異方性エッチングによりトレンチ8の側壁部分にポリシリコン膜5Aを残して、トレンチ8内およびシリコン素子基板3上のポリシリコン膜5Aをエッチングした後、シリコン素子基板3上の酸化膜4を除去し、熱酸化により、側壁部分のポリシリコン膜5Aを酸化した絶縁膜6Aでトレンチ8を埋める。同時にシリコン素子基板3の表面にも酸化膜を形成し、トレンチ型分離領域を完成する。

請求項（抜粋）：

支持基板、分離絶縁膜およびシリコン素子基板からなるSOI基板のシリコン素子基板上に第一の絶縁膜を形成する工程と、その第一の絶縁膜をパターニングして開口部を有するマスクを形成する工程と、そのマスクを用いてシリコン素子基板をエッチングし、分離絶縁膜に達するトレンチを形成する工程と、第一の絶縁膜およびトレンチの内面を覆うポリシリコン膜を堆積する工程と、異方性エッチング技術により、トレンチの側壁部分に前記ポリシリコン膜を残して、第一の絶縁膜上およびトレンチ内のポリシリコン膜をエッチングする工程と、第一の絶縁膜をエッチングして除去する工程と、熱酸化することにより、トレンチの側壁部分に残したポリシリコン膜およびシリコン素子基板を酸化し、分離絶縁膜と接する第二の絶縁膜を成長させてトレンチを埋め込み、シリコン素子基板を絶縁分離する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/76 , H01L 21/762 , H01L 27/08 331 , H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 21/76 L , H01L 27/08 331 E , H01L 27/12 B , H01L 27/12 R , H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-335121 出願人：三菱電機株式会社
特公昭59-038731
特開平4-271176

全件表示

前のページに戻る