特許

J-GLOBAL ID：200903033604458200

有機半導体素子

発明者： 夏目 穣
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-416782
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175386
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】 高い移動度を発現させつつ、絶縁膜と半導体界面の表面安定性を向上させることが可能となるとともに、高いオン/オフ比を得る。【解決手段】 ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソース電極5、ドレイン電極6および有機半導体膜7を基板1上に形成し、比誘電率が4以上であるゲート絶縁層3と有機半導体層7の界面に、比誘電率が1.5以上3.5以下である低誘電率層4を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

有機半導体層と、 前記有機半導体層に接触するようにして互いに所定間隔だけ隔てて配置されたソース電/ドレイン電極と、 前記有機半導体層に形成されるチャネル領域の位置に対応して配置されたゲート電極と、 前記ゲート電極と前記有機半導体層との間に配置され、比誘電率が4以上のゲート絶縁層と、 前記有機半導体層と前記ゲート絶縁層との間に配置され、比誘電率が1.5以上3.5以下の低誘電率層とを備えることを特徴とする有機半導体素子。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 617U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28

Fターム (34件)：

5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HM12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機半導体装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264964   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (3件)

• 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-104920   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-300993   出願人：株式会社東芝
• 有機電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-224313   出願人：三菱化学株式会社