特許
J-GLOBAL ID：200903071411984222

有機薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
平井 桂

平井 桂 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-104920
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303970
出願日： 2002年04月08日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 ゲート電圧の低減が行え、リーク電流を低減しスイッチングのON/OFF比を向上させることができると同時に、低コストで簡便なプロセスによりフラットパネルディスプレイ用有機薄膜トランジスタが得られる製造方法を提供することにある。【解決手段】 支持体上に付設されたソース、ドレイン電極、該電極に接して形成された有機半導体層、該有機半導体層に接して形成されたゲート絶縁層及びゲート絶縁層上に形成されたゲート電極からなる有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層が金属酸化物或いは窒化物からなり、該ゲート絶縁層と有機半導体層の間に有機薄膜層が形成されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
請求項（抜粋）：
支持体上に付設されたソース、ドレイン電極、該電極に接して形成された有機半導体層、該有機半導体層に接して形成されたゲート絶縁層及びゲート絶縁層上に形成されたゲート電極からなる有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層が金属酸化物或いは窒化物からなり、該ゲート絶縁層と有機半導体層の間に有機薄膜層が形成されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/00
FI (3件)：
H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/28
Fターム (27件)：
5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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