特許
J-GLOBAL ID：200903033614923610
半導体力学量センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-160600
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049832
出願日： 2005年05月31日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 犠牲層エッチングの際に所望の部位のみを残して他を除去することにより支持基板の上に幅狭なる固定部を作ることができる半導体力学量センサの製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン層4における空洞となる部位にシリコン酸化膜47を埋め込んだ積層基板1を用意し、基板1におけるシリコン層4の上面からトレンチエッチングを行い、縦方向に延びシリコン酸化膜47に達する溝49を形成する。溝49の底面からシリコン酸化膜47のみを選択的にエッチングして横方向に延びる空洞を形成して可動部を区画形成する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
支持基板(2)の上に埋込絶縁膜(3)を介して半導体層(4)が形成された積層基板(1)を用いて構成され、前記半導体層(4)において横方向に延びる空洞(10)、および、前記半導体層(4)において前記空洞(10)に達する溝(12a〜12d)により半導体層(4)に可動部(22,23,24,25a〜25d,26a〜26d)が形成されるとともに、前記溝(12a〜12d)により固定部(13,15a〜15d,16a〜16d)が区画された半導体力学量センサの製造方法であって、
前記半導体層(4)における前記空洞(10)となる部位に犠牲層(47)を埋め込んだ積層基板(1)を用意する第1工程と、
積層基板(1)における半導体層(4)の上面からトレンチエッチングを行い、縦方向に延び前記犠牲層(47)に達する溝(49)を形成する第2工程と、
前記溝(49)の底面から前記犠牲層(47)のみを選択的にエッチングして横方向に延びる空洞(10)を形成して可動部を区画形成する第3工程と、
を備えたことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, B81C 1/00
, G01P 15/125
H01L29/84 Z
, B81C1/00
, G01P15/125 Z
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112DA02
, 4M112DA03
, 4M112DA07
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112FA20
出願人引用 (1件)
-
センサを製造する方法およびセンサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-094545
出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
審査官引用 (3件)
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