特許
J-GLOBAL ID：200903033619157509

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
船津 顕之

船津 顕之 について

, 
西 恒寛

西 恒寛 について

, 
名倉 茂広

名倉 茂広 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-144569
公開番号（公開出願番号）：特開2005-097533
出願日： 2004年05月14日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 解像性が高く、パターン側壁荒れが少なく、実用レベルのエッチング耐性を有し、露光後熱処理の温度の幅に余裕があるレジスト材料のベース樹脂として有用な高分子化合物を提供する。 【解決手段】 下記一般式(1)〜(3)で示される繰り返し単位をそれぞれ一種類以上含んでなる重量平均分子量1,000〜50,000の高分子化合物、及び該高分子化合物を含んでなるレジスト材料を提供する。また、このレジスト材料を基板上に塗布する工程と、得られた膜を加熱処理する工程と、加熱処理された膜をフォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、該露光後に加熱処理する工程と、その後に現像液を用いて現像する工程とを含んでなるパターン形成方法を提供する。【化1】【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)〜(3)で示される繰り返し単位をそれぞれ一種類以上含んでなる重 量平均分子量1,000〜50,000の高分子化合物。
IPC (3件)：
C08F220/28 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (3件)：
C08F220/28 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (32件)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA20P ,  4J100BC03R ,  4J100BC03S ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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