特許

J-GLOBAL ID：200903033651142661

シリコンウエーハの洗浄方法

発明者： 則本 雅史 ,  原田 剛 ,  高田 涼子 ,  高石 和成
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-078993
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277473
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウェーハの加工により生じるピット等の微小欠陥のサイズを低減させる。シリコンウエーハ表面の微小領域における面荒れを抑制する。【解決手段】 シリコンウェーハを酸化する工程とこの酸化したシリコンウエーハを還元する工程を繰返し行う。シリコンウエーハの酸化を溶存オゾン水溶液に浸漬することにより行う。シリコンウエーハの還元をフッ酸又はフッ酸とカルボキシル基を含む有機酸若しくは有機酸塩の混合液に浸漬することにより行う。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハを酸化する工程と前記酸化したシリコンウエーハを還元する工程とを含むシリコンウエーハの洗浄方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (4件)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/306 B

Fターム (4件)：

5F043AA02 ,  5F043BB27 ,  5F043DD30 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ウェハの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-294374   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-135029   出願人：株式会社東芝
• 半導体基板の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-005611   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社