特許

J-GLOBAL ID：200903047444577144

半導体ウェハの洗浄方法

発明者： 桜井 直明 ,  速水 直哉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294374
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153698
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハ上の有機物、パーティクルおよび金属を良好に除去することが可能な半導体ウェハの洗浄方法を提供しようとするものである。【構成】 半導体ウェハを溶存オゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハを溶存オゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理することを特徴とする半導体ウェハの洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-127830   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-107805   出願人：日本電気株式会社
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-199687   出願人：ソニー株式会社