特許
J-GLOBAL ID:200903033651391416
四面体炭素層および軟質外層を備える層状構造によって被覆された基板
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (9件):
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
, 吉田 尚美
, 中村 綾子
, 岡本 正之
, 深川 英里
, 森本 聡二
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-526467
公開番号(公開出願番号):特表2009-504448
出願日: 2006年07月13日
公開日(公表日): 2009年02月05日
要約:
本発明は、層状構造によって少なくとも部分的に被覆された金属基板に関する。層状構造は、金属基板に堆積された中間層と、中間層に堆積された非晶質炭素層と、を備える。非晶質炭素層は、200GPaよりも低いヤング率を有する。中間層は、200GPaよりも高いヤング率を有する四面体炭素層から構成される。本発明は、さらに、四面体炭素皮膜に被覆された金属基板による被接触体の磨耗を低減させる方法に関する。
請求項(抜粋):
層状構造によって少なくとも部分的に被覆された金属基板であって、前記層状構造が、前記基板に堆積された中間層と、前記中間層に堆積された非晶質炭素層とを備え、前記非晶質炭素層が200GPaよりも低いヤング率を有し、前記中間層が200GPaよりも高いヤング率を有する四面体炭素層から構成されることを特徴とする金属基板。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (43件):
4F100AA03B
, 4F100AA03E
, 4F100AA12B
, 4F100AA12E
, 4F100AA15B
, 4F100AA15E
, 4F100AA20B
, 4F100AA20E
, 4F100AA37B
, 4F100AA37C
, 4F100AB00A
, 4F100AB00B
, 4F100AB00C
, 4F100AB01
, 4F100AB10
, 4F100AB11B
, 4F100AB11D
, 4F100AB11E
, 4F100AB12
, 4F100AB13
, 4F100AH02C
, 4F100AH07C
, 4F100AK07B
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100BA10E
, 4F100JA12C
, 4F100JK07C
, 4F100JK09
, 4F100JK12B
, 4F100YY00B
, 4F100YY00C
, 4K029AA02
, 4K029AA24
, 4K029BA34
, 4K029BB02
, 4K029BB10
, 4K029BC02
, 4K029CA03
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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