特許
J-GLOBAL ID：200903060448373434
滑り特性が向上したDLC層システム、およびそのような層システムを生成するためのプロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-576965
公開番号（公開出願番号）：特表2004-501793
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
この発明は、基板の上に配置される接着層と、接着層の上に配置される遷移層と、ダイヤモンド状カーボンの被覆層とを有する、磨耗保護、腐食保護、および滑り特性の向上などのための層システムの生成を可能にする装置およびプロセスを記載しており、接着層は、周期表の第4、第5、および第6族の元素ならびにシリコンを含む元素の群の少なくとも1つの元素を含み、遷移層はカーボンおよび前述の群の少なくとも1つの元素を含み、被覆層は本質的にダイヤモンド状カーボンからなっており、層システムは少なくとも15GPa、好ましくは少なくとも20GPaの硬度と、VDI3821、シート4に従った少なくとも3HFの接着性とを有している。この層システムを生成するために用いられるプロセスは、まず基板を真空チャンバ内に導入し、排気して少なくとも10-4mbar、好ましくは10-5mbarの真空を作り出し、次にまず、基板表面を洗浄して付着している不純物があれば除去し、それから接着層をプラズマ支援堆積する。次に、接着層の構成要素の堆積とプラズマCVDによる気相からのカーボンの堆積とを同時に行なうことによって、遷移層が被着される。ダイヤモンド状カーボン層が次に、気相からのカーボンのプラズマ支援堆積のみによって被着される。プロセスの最中、バイアス電圧が基板に印加され、この電圧は中間周波数範囲でパルス化され、一方、重畳された磁場が個々のプロセスステップにおいてプラズマを安定化させる。コーティングプロセスを実行するための適切な装置はしたがって、真空チャンバ(1)を有し、真空チャンバ(1)は、真空チャンバ内に真空を生成するためのポンプシステム(9)と、コーティングされる基板を受ける基板保持装置(3)と、プロセスガスの供給を投与するための少なくとも1つのガス供給ユニット(18)と、堆積用のコーティング材を利用可能にする少なくとも1つの気化装置(14)と、低電圧d.c.アークを点火するアーク生成装置(10、13)と、基板バイアス電圧を生成するための装置(16)と、遠距離場を形成するための少なくとも1つまたはいくつかの磁場生成装置(17)とを有する。この発明はまた、その表面にさらなる滑り層が設けられているDLC-滑り層システム、およびそのようなシステムを生成するためのプロセスも記載している。
請求項（抜粋）：
摩耗保護、腐食保護、および滑り特性の向上などのための層システムであって、基板の上に配置される接着層と、接着層の上に配置される遷移層と、DLCまたはダイヤモンド層とを有しており、層システムは、DLCまたはダイヤモンド層の上に、DLCまたはダイヤモンド層の組成とは異なる化学組成を有する滑り層が配置されることを特徴とする、層システム。
IPC (4件)：
B32B9/00
, C23C14/06
, C23C16/27
, C23C16/50
B32B9/00 A
, C23C14/06 F
, C23C14/06 M
, C23C16/27
, C23C16/50
4F100AA22
, 4F100AR00B
, 4F100AT00A
, 4F100BA04
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA42
, 4F100EH66
, 4F100EJ42
, 4F100EJ59
, 4F100EJ61
, 4F100GB32
, 4F100GB51
, 4F100JB02D
, 4F100JK16C
, 4F100YY00C
, 4K029BA34
, 4K029BB02
, 4K029BC01
, 4K029BC02
, 4K029CA00
, 4K029CA06
, 4K029CA13
, 4K029DC39
, 4K029DD06
, 4K029EA01
, 4K029EA05
, 4K030AA09
, 4K030BA28
, 4K030BB12
, 4K030JA01
, 4K030JA06
, 4K030JA09
, 4K030JA17
, 4K030KA20
, 4K030LA01
, 4K030LA23
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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