特許
J-GLOBAL ID：200903033664842042

量子ドット発光素子

発明者：
赤羽 浩一

赤羽 浩一 について

, 
山本 直克

山本 直克 について

, 
大谷 直毅

大谷 直毅 について


出願人/特許権者：
独立行政法人情報通信研究機構

独立行政法人情報通信研究機構 について


代理人 (3件)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  福田 武通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-128269
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335665
出願日： 2003年05月06日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】InAs量子ドットを用いて長波長化することと、閉じ込め障壁が緩慢になることを防止することにより、伝送損の少ない領域でレーザ発振し、また、発光に寄与しない電流を抑制して発光効率を改善することができる量子ドット発光素子を提供する。【解決手段】GaAs領域3に成長したInAs量子ドット6と、InAs量子ドット6に接して設けたGaAsSb歪緩和層7と、このGaAsSb歪緩和層7に接して設けたGaAs領域8からなる活性領域をもつ構成とする。また、InGaAs量子ドット6と、InGaAs量子ドット6に接して設けたGaAsSb歪緩和層7としてもよく、組成をGaAs1-ySbyとするとき、0.1<y<0.7となるように構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaAs領域に成長したInAs量子ドットと、前記InAs量子ドットに接して設けたGaAsSb歪緩和層と、このGaAsSb歪緩和層に接して設けたGaAs領域からなる活性領域をもつことを特徴とする量子ドット発光素子。
IPC (3件)：
H01S5/343 ,  C23C14/06 ,  H01L21/203
FI (3件)：
H01S5/343 ,  C23C14/06 L ,  H01L21/203 M
Fターム (22件)：
4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA41 ,  4K029BB02 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5F073AA72 ,  5F073CA02 ,  5F073CA03 ,  5F073CB07 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103NN01 ,  5F103RR05
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM