特許

J-GLOBAL ID：200903033685287740

磁気トンネル接合及びその製造方法

発明者： 申 慶 浩 ,  李 禹 栄 ,  朴 栄 俊 ,  李 京 一 ,  河 在 根
出願人/特許権者： コリア インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー
代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-140511
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069113
出願日： 2002年05月15日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 急速熱処理を施すことで電磁気的特性及び熱的安定性を向上し得る、磁気トンネル接合及びその製造方法を提供しようとする。【解決手段】 第1磁性層15と、第1磁性層15の上面に形成されたトンネル障壁層16と、トンネル障壁層16の上面に形成された第2磁性層17と、を包含する磁気トンネル接合を形成し、この磁気トンネル接合を200〜600°Cの温度範囲で5秒〜10分間の間急速熱処理を施すことで、トンネル障壁層16内の元素を再分布させ、トンネル障壁層16と第1、第2磁性層15,17間の界面を均一化させて、磁気トンネル接合を製造する。

請求項（抜粋）：

第1磁性層と、該第1磁性層の上面に形成されたトンネル障壁層と、該トンネル障壁層の上面に形成された第2磁性層と、を包含する磁気トンネル接合を形成し、前記磁気トンネル接合を200〜600°Cの温度範囲で5秒〜10分間の間急速熱処理を施すことで、前記トンネル障壁層内の元素を再分布させ、該トンネル障壁層と前記第1、第2磁性層間の界面を均一化させることを特徴とする磁気トンネル接合の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (4件)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10

Fターム (7件)：

5D034BA02 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298567   出願人：日本電気株式会社
• 積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-078702   出願人：株式会社東芝
• 巨大磁気抵抗効果ヘッド、薄膜磁気ヘッドならびに磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-239169   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-243900   出願人：ソニー株式会社