結晶窒化ガリウムベースの化合物の成長方法及び窒化ガリウムベース化合物を含む半導体デバイス

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口朔生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-013960
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237582
出願日： 2006年01月23日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】基板との格子不整合を補償出来かつ紫外線放射の吸収を減少するような改良された特性を現わす、結晶GaNベース材料を成長する方法を提供すること。【解決手段】結晶GaNベース材料を形成する方法において、第1の核生成層が、第1の温度で基板上に形成され、それに続いて、第1の温度とは異なる第2の温度で第2の核生成層を形成する。第1と第2の核生成層は、AlxInyGa(1-x-y)Nよりなる。引き続いて、結晶GaNベース化合物の層が、第2の核生成層上にエピタキシ成長される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaNベース層を形成する方法であって、第1の処理温度で基板上に第1の核生成層を形成することと、第1の処理温度よりも低い第2の処理温度で第1の核生成層上に第2の核生成層を形成することと、第2の核生成層上にエピタキシャルGaNベース層を形成することと、を有する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 , H01L 29/812 , H01L 21/338

FI (4件)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , H01L29/80 B

Fターム (38件)：

5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF14 , 5F045BB12 , 5F045CA02 , 5F045CA07 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F045DA62 , 5F045DA67 , 5F045EB15 , 5F045EE12 , 5F045EK26 , 5F045EK27 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102HC01 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AR82

引用特許：

審査官引用 (4件)

発光ダイオード、窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-199778 出願人：日立電線株式会社
半導体発光素子及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-219179 出願人：日本電信電話株式会社
窒化物系化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-196773 出願人：坂井田敏昭

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