特許
J-GLOBAL ID：200903058018366944

窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法及び成長基板

発明者：
森田 大介

森田 大介 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-015090
公開番号（公開出願番号）：特開2002-223041
出願日： 2001年01月23日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】基板への横方向成長等のデバイス工程を無くした低欠陥である窒化ガリウム系化合物半導体基板を製造できるようにする。【解決手段】基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる方法であって、ハイドライド気相エピタキシャル成長法で成長速度を変えて2段階成長させる。
請求項（抜粋）：
ハイドライド気相エピタキシャル成長法により基板上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、基板上に、第1の窒化ガリウム系化合物半導体から成る核、又は層を介して、ハイドライド気相エピタキシャル成長法により成長させた第2の窒化ガリウム系化合物半導体層と、その上に第3の窒化ガリウム系化合物半導体層とを有し、前記第2の窒化ガリウム系化合物半導体層の成長速度(R2)と、第3の窒化ガリウム系化合物半導体層の成長速度(R3)との比(R2/R3)が1以上であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体基板。
IPC (4件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/02
FI (4件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/02
Fターム (43件)：
5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC13 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DQ08 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28 ,  5F073HA10
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (15件)
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