特許

J-GLOBAL ID：200903033714876830

半導体装置およびその製造方法

発明者： 三原 一郎
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-224344
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135421
出願日： 2008年09月02日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。【解決手段】 シリコン基板1の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜4と配線5との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部3が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部3の上面にはパッシベーション膜7が設けられている。パッシベーション膜7および低誘電率膜配線積層構造部3の側面は金属膜14および封止膜18によって覆われている。これにより、低誘電率膜4が剥離しにくい構造となっている。この場合、低誘電率膜配線積層構造部3の側面と封止膜18との金属膜14を介在させているのは、耐湿環境からの保護を十分とするためである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の一面上の周辺部を除く領域に設けられ、比誘電率が3.0以下である低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部と、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面を覆うように設けられた金属膜と、前記低誘電率膜配線積層構造部上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続されて設けられた電極用接続パッド部と、前記電極用接続パッド部上に設けられた外部接続用バンプ電極と、前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜上および前記半導体基板の周辺部上に前記金属膜を覆うように設けられた有機樹脂からなる封止膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L21/88 T ,  H01L23/12 501P

Fターム (23件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR13 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS21 ,  5F033VV07 ,  5F033XX12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-144638   出願人：カシオ計算機株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-046736   出願人：三洋電機株式会社
• 多層配線半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-200390   出願人：富士通株式会社