特許
J-GLOBAL ID：200903027662556948

多層配線半導体集積回路

発明者：
増田 哲

増田 哲 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-200390
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047575
出願日： 2002年07月09日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】低誘電率の有機系層間膜は耐湿性が劣るため、ベアチップ実装時の高湿度環境でのデバイス特性劣化が懸念された。【解決手段】有機系層間膜より透水性・吸水性が小さい無機系層間膜で有機系層間膜を覆うようにして多層化するとともに、更に、耐水性に優れた配線金属で層間膜全体を覆うことによって、ベアチップ実装に耐える半導体チップを提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された複数の回路機能素子間を接続するために前記半導体基板上に複数の有機系層間絶縁膜と複数の配線層を用いて積層配線された多層配線半導体集積回路において、前記複数の有機系層間絶縁膜の各膜上にシリコン無機膜が形成され、かつ前記有機系層間絶縁膜の端部が前記配線層と同一材料で覆われていることを特徴とする多層配線半導体集積回路。
IPC (3件)：
H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04
FI (2件)：
H01L21/90 J ,  H01L27/04 H
Fターム (34件)：
5F033GG02 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK13 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033VV03 ,  5F033VV04 ,  5F033VV07 ,  5F033XX18 ,  5F038BH10 ,  5F038BH11 ,  5F038CD02 ,  5F038CD04 ,  5F038CD20 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (10件)
  • 半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-109966   出願人：ヤマハ株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-306558   出願人：日本電気株式会社
  • 特開昭64-057735
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