清浄処理方および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-084968
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282455
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】もとの半導体層中の不純物拡散や結晶欠陥の発生を誘起することなく、また形状変化を最小限にして、結晶成長前の半導体基板表面や再成長前の半導体表面の不純物汚染や物理的ダメージを再現性良く安定的に除去する手法を提供すること。【解決手段】結晶成長装置内で、半導体ウエハ表面に、エッチング作用のある原料と結晶成長原料を同時に供給し、エッチング速度と結晶成長速度をバランスさせることで、効率良く残留不純物を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体層の表面に付着した汚染物質を除去する清浄処理方法であって、前記半導体層に対してエッチング作用を有するエッチング性物質と、結晶成長原料とを、同時に、または交互に、前記半導体層に接触せしめる清浄処理工程を含むことを特徴とする清浄処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/02 , H01L 21/365

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/02 , H01L 21/365

Fターム (18件)：

4K030BA11 , 4K030BA55 , 4K030DA04 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB22 , 5F045AB23 , 5F045AC08 , 5F045AD10 , 5F045AE23 , 5F045AF04 , 5F045BB14 , 5F045EB15 , 5F045EE13 , 5F045HA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-045049 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
特開平3-236219
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-069740 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー

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