半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036505
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233399
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】バンプ電極の接続強度を向上させる。【解決手段】引出し電極3に接続されるバンプ下地金属層6aをTiで構成し、そのバンプ下地金属層6a上のバンプ下地金属層6bをPdで構成した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された半導体集積回路の引出し電極上に錫を含有するはんだバンプ電極をバンプ下地導体層を介して設けてなる半導体集積回路装置の製造方法であって、(a)前記引出し電極を被覆する絶縁膜に、その引出し電極の一部が露出するような開口部を形成する工程と、(b)前記開口部形成工程後の引出し電極上に、前記バンプ下地導体層を構成する接着機能を有する導体層を形成する工程と、(c)前記接着機能を有する導体層上にパラジウムを含有する導体層を形成する工程と、(d)前記パラジウムを含有する導体層上に錫を含有するはんだ導体層を形成する工程と、(e)前記錫を含有するはんだ導体層の形成後、前記半導体基板に対して熱処理を施す工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/92 604 N , H01L 21/92 603 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-299245 出願人：富士通株式会社
特開平2-170434
特開平2-170434

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