半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-175448
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045939
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】接続の信頼性並びに長期間の使用に対する信頼性を確保できる接続用電極部を備えた半導体装置を提供することを提供することを目的としている。【構成】半導体素子11の引き出し用のAl層12と低融点金属で形成された突起電極15との間に多層金属層(バリアメタル)16が介在され、この多層金属層16の第1層目の金属層16-1の少なくとも一部に金属窒素化合物領域を設けたことを特徴としている。金属窒素化合物領域は、第1層目の金属層16-1と絶縁体層13との密着性を向上させるとともに、この金属層16-1の酸化を防止して電気抵抗の上昇を防ぐ。これによって、接続の信頼性並びに長期間の使用に対する信頼性を確保できる。

請求項（抜粋）：

半導体素子を低融点金属により形成された突起電極を介して実装基板にフリップチップ接続する半導体装置において、前記半導体素子の接続用電極部は、取り出し電極としてのAl層と、このAl層上に開口部を有する絶縁体層と、前記Al層とその周辺の前記絶縁体層上に設けられた多層金属層とを備え、前記多層金属層の第1層目の金属層の少なくとも一部に金属窒素化合物領域を設けたことを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 21/92 602 D , H01L 21/92 603 D , H01L 21/92 604 Q

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭62-128154
特開平3-250628
特開昭59-121954

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