アライメントマーク構造およびその製造方法、アライメントマーク検出方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-002280
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203852
出願日： 2002年01月09日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】ダマシン法を用いて形成される多層配線構造を有する半導体装置において、アライメント精度を向上する。【解決手段】本発明に係るアライメントマーク構造は、アライメントマーク8の下方に、ライン状のパターンを有する下地層5を備え、さらに、下地層5とアライメントマーク8との間に、金属拡散防止兼エッチングストッパ層6を備える。下地層5がライン状であるため、下地層5の形成の際にダマシン法を用いた場合でも、ディッシングの発生は抑えられる。そのため、アライメント精度の劣化の要因となるアライメントマーク8の段差は生じない。さらに、金属拡散防止兼エッチングストッパ層6の存在によって、下地層5として埋め込まれた金属材料が、熱処理などにより拡散するのを防止できる。

請求項（抜粋）：

アライメントマークと、前記アライメントマークの下方に配置された金属材料から成る下地層とを有するアライメントマーク構造の製造方法であって、(a)ダマシン法を用いて、ライン状のパターンを有する前記下地層を形成する工程と、(b)前記下地層の直上に、金属拡散防止兼エッチングストッパ層を形成する工程と、(c)前記金属拡散防止兼エッチングストッパ層の上方に、前記アライメントマークを形成する工程とを備える、ことを特徴とするアライメントマーク構造の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 9/00 , H01L 21/768

FI (3件)：

G03F 9/00 H , H01L 21/30 502 M , H01L 21/90 A

Fターム (33件)：

5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH27 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ27 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ01 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033XX03 , 5F046EA03 , 5F046EA09 , 5F046EA12 , 5F046EA15 , 5F046EA18 , 5F046EA19 , 5F046EA23 , 5F046EA24 , 5F046FA09 , 5F046FC04

引用特許：

審査官引用 (5件)

多層配線プロセス用転写マーク構造および多層配線プロセス用転写マーク作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-191875 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-348267 出願人：三菱電機株式会社
特開昭63-131009

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