特許
J-GLOBAL ID：200903033840712258

不揮発性半導体記憶装置及びデータ書き込み方法

発明者：
荒川 秀貴

荒川 秀貴 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-250932
公開番号（公開出願番号）：特開2004-094987
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】本発明は、短時間で書き込み動作を完了させ且つ狭い閾値電圧の分布を生成することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと、異なる複数のレベルのデータをメモリセルに書き込む書き込み回路と、書き込み回路を制御することにより、複数のレベルの1つのレベルを書き込み対象として書き込み電圧を第1のステップ電圧づつ増加させながら第1の書き込み動作を実行し、第1の書き込み動作を実行しながら所定のタイミングにおける書き込み電圧を記憶し、1つのレベルを書き込み対象として記憶された書き込み電圧に基づいて決定される電圧から開始して書き込み電圧を第1のステップ電圧より小さい第2のステップ電圧づつ増加させて第2の書き込み動作を実行する制御回路を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと、 異なる複数のレベルのデータを該メモリセルに書き込む書き込み回路と、 該書き込み回路を制御することにより、該複数のレベルの1つのレベルを書き込み対象として書き込み電圧を第1のステップ電圧づつ増加させながら第1の書き込み動作を実行し、該第1の書き込み動作を実行しながら所定のタイミングにおける該書き込み電圧を記憶し、該1つのレベルを書き込み対象として該記憶された書き込み電圧に基づいて決定される電圧から開始して書き込み電圧を該第1のステップ電圧より小さい第2のステップ電圧づつ増加させて第2の書き込み動作を実行する制御回路 を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
G11C16/02
FI (3件)：
G11C17/00 611E ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 641
Fターム (2件)：
5B025AD04 ,  5B025AF01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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