特許

J-GLOBAL ID：200903072384245923

半導体集積回路及びデータ処理システム

発明者： 河原 尊之 ,  佐藤 弘 ,  野副 敦史 ,  吉田 敬一 ,  野田 敏史 ,  久保埜 昌次 ,  小谷 博昭 ,  木村 勝高
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258215
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106276
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性メモリセルに対する書き込み動作を高速化する【解決手段】 フラッシュメモリは、第1のしきい値電圧を持つ前記不揮発性メモリセルのしきい値電圧が第2のしきい値電圧に変化されるまで不揮発性メモリセルにパルス状電圧を与える。前記パルス状電圧の印加毎に変化される不揮発性メモリセルのしきい値電圧の変化量が相対的に大きくされる第1の書込みモード(粗い書込み)と相対的に小さくされる第2の書込みモード(高精度書込み)とを有する。メモリセルのしきい値電圧を変化させるのに必要なパルスの数は、粗い書込みモードの方が少ない。このため、粗い書込みモードを用いた場合のベリファイ回数の方が少なく、これによって全体としての書込み動作が高速化される。

請求項（抜粋）：

電気的消去及び書込み可能な不揮発性メモリセルを複数個備え、第1のしきい値電圧を持つ前記不揮発性メモリセルのしきい値電圧が第2のしきい値電圧に変化されるまで不揮発性メモリセルにパルス状電圧を与えるための制御手段を含む半導体集積回路であって、前記制御手段は、前記パルス状電圧の印加毎に変化される不揮発性メモリセルのしきい値電圧の変化量が相対的に大きくされる第1の動作モードと相対的に小さくされる第2の動作モードとを有するものであることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (5件)：

G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 611 G ,  G11C 17/00 632 C ,  G11C 17/00 641

引用特許：

審査官引用 (4件)

• フラッシュ電気的消去可能プログラマブル読出し専用メモリのリフレッシュ方法、装置及び同メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315592   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 不揮発性半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-160076   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-178319   出願人：ソニー株式会社
• 記憶システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-098628   出願人：株式会社東芝