特許
J-GLOBAL ID：200903033859246509
III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法並びににIII族窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-250185
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067114
出願日： 2005年08月30日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】より高品質のIII族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたIII族窒化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】(1-102)面(いわゆるr面)のサファイア基板110上に、AlInNからなるバッファ層120をMOCVD装置を用いて、常圧のもとで基板温度が850°C〜950°Cの範囲となるように制御しつつ形成し、該バッファ層120上にGaNやAlGaN等のGaN系化合物を高温でエピタキシャル成長する。これによりIII族窒化物半導体薄膜を得る。また、そのIII族窒化物半導体薄膜を基板としてIII族窒化物半導体発光素子を作成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(1-102)面のサファイア基板と、
前記サファイア基板上に位置し、AlInNからなるバッファ層と、
前記バッファ層上に位置し、III族窒化物からなるエピタキシャル成長層と、
を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体薄膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01S5/323 610
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA03
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F173AF25
, 5F173AG12
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AP05
, 5F173AP24
, 5F173AQ20
, 5F173AR81
, 5F173AR93
