特許

J-GLOBAL ID：200903033862192789

研磨剤及び半導体基板のポリッシング方法

発明者： 宮下 直人 ,  高安 淳 ,  土井 建治 ,  南 良宏 ,  加藤 寛 ,  林 和彦 ,  河野 博之
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  株式会社トクヤマ
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-109176
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302633
出願日： 1998年04月20日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：

【要約】【課題】 高純度で安定性や再現性に優れ基板や被ポリッシング膜に傷の付かない研磨剤及びこの研磨剤を用いたCMPにより半導体基板の被ポリッシング膜を平坦化する方法を提供する。【解決手段】 研磨剤に添加される水溶性セルロースのNa含有量を少なくすること、シリカ研磨粒子の含有量を0.1〜50wt%にすること及び必要に応じてpH調製剤を用いこの調整剤に水溶性アミンの水溶液を用い、この水溶性セルロースの濃度をCwt%としたときのアルカリ金属元素の含有量が5Cppm以下となるように調整されるようにする。水溶性セルロースの濃度は、0.05〜4wt%が良く、好ましくは0.1〜1wt%、とくに好ましくは0.1〜0.5wt%が適当である。研磨剤に添加される水溶性アミンの含有量は、0.1〜20wt%が良い。とくに水溶性アミンの含有量は、1〜15wt%が良く、好ましくは3〜10wt%が適当である。

請求項（抜粋）：

シリカ粒子を主成分とする研磨粒子と、水からなる溶媒と、水溶性セルロースとを有し、前記水溶性セルロースの濃度をC重量%としたときに、アルカリ金属不純物の含有量が5Cppm以下であることを特徴とする研磨剤。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (4件)：

C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 研磨材およびその製造方法、ならびにそれを使用した半導体基板上の絶縁膜の平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-125508   出願人：住友化学工業株式会社
• 研磨用砥粒及び研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-130523   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-325616   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-325619   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド