強誘電体メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119770
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326683
出願日： 1994年06月01日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】強誘電体メモリに関し、特性の劣化がない強誘電体メモリを再現性よく実現する手段を提供する。【構成】電気伝導性を有し、あるいは電気伝導率を制御することができる酸化物チャネル1の両端にソース電極3とドレイン電極4を形成し、この酸化物チャネル1に強誘電体ゲート絶縁膜2を介してゲート電極5を形成した構成を採用した。強誘電体ゲート絶縁膜2をゲート電極5と接地電極6によって挟んだ構成を採用して強誘電体ゲート絶縁膜2の分極を強化することができる。チャネルをペロブスカイト構造またはスピネル構造を有する酸化物によって形成して強誘電体との接合面における整合性をよくし、構成元素の相互拡散を妨げることができる。酸化物チャネル1または強誘電体ゲート絶縁膜2を形成する際に、不純物を高濃度にドープして低抵化し、この低抵抗化した層によってゲート電極あるいは接地電極を形成することができる。

請求項（抜粋）：

電気伝導性酸化物からなるチャネルの両端にソース電極とドレイン電極が形成され、該チャネルに強誘電体からなるゲート絶縁体を介してゲート電極が形成されていることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/10 451

引用特許：

審査官引用 (5件)

FET素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-298965 出願人：三菱化成株式会社
超電導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-156464 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平2-194666

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