圧電トランスデューサの製造方法及び圧電トランスデューサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂上正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-162925
公開番号（公開出願番号）：特開2002-354589
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】製造が容易であり、トランスデューサを複数個生産した場合、それぞれのトランスデューサ毎の音響整合層の厚さのばらつきが少なく、量産性の優れた圧電トランスデューサの製造方法、及び圧電トランスデューサを提供する。【解決手段】パターニングされた電極を有する基板43に、圧電素子41を複数枚固定するとともに圧電素子41に設けられた一面の電極と基板電極47aを導通させ、圧電素子41に設けられた他面の電極と基板電極47bを導線などにより導通させ、圧電素子41の超音波放射面に音響整合層49を設け、基板43を複数枚に分割する。

請求項（抜粋）：

パターニングされた電極(以下、基板電極)を有する基板に、両面に電極が設けられた圧電素子を固定するとともに前記圧電素子に設けられた一面の電極と前記基板電極とを電気的に接続し、前記圧電素子の他面の電極と前記基板電極を電気的に接続し、前記圧電素子に音響整合層を設け、前記基板を複数個に分割して複数個の圧電トランスデューサを製造する圧電トランスデューサの製造方法。

IPC (6件)：

H04R 17/00 330 , H04R 17/00 , A61B 8/00 , H01L 41/08 , H01L 41/22 , H04R 31/00 330

FI (6件)：

H04R 17/00 330 H , H04R 17/00 330 J , A61B 8/00 , H04R 31/00 330 , H01L 41/22 Z , H01L 41/08 Z

Fターム (11件)：

4C301EE17 , 4C301GB03 , 4C301GB09 , 4C301GB33 , 5D019BB19 , 5D019BB28 , 5D019BB29 , 5D019FF03 , 5D019FF04 , 5D019GG01 , 5D019HH01

引用特許：

審査官引用 (8件)

脈波検出装置、その製造方法、および腕携帯機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-361706 出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
超音波プローブの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-231590 出願人：株式会社東芝
圧電振動子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-277952 出願人：株式会社シチズン電子

全件表示

前のページに戻る