半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-295263
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135778
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 D-MOSFETのオフ耐圧を維持しながら、より動作抵抗を低減する半導体装置の提供を目的とする。【解決手段】 D-MOSFET1では、P-型半導体基盤3上にN+型埋め込み層5、さらにその上にN-型エピタキシャル層7が形成されている。さらに、N-型エピタキシャル層7には、N+型ドレイン領域9、島型のP型ボディ11が形成されている。P型ボディ11の中には、N+型ソース領域13a、13bが形成されている。P型ボディ11上には、ゲート電極15が形成されている。そして、N+型埋め込み層5とN+型ドレイン領域9との接続をN+型埋没ドレイン領域17を介して行なう。

請求項（抜粋）：

第1導電型の高濃度不純物含有層、前記第1導電型の高濃度不純物含有層上に形成される第1導電型の低濃度不純物含有層、を有する半導体装置であって、前記半導体装置は、前記第1導電型の低濃度不純物含有層の中に形成される島型の第2導電型の不純物含有領域、前記第1導電型の低濃度不純物含有層の中に形成される第1導電型の第1高濃度不純物含有領域、前記第2導電型の不純物含有領域の中に形成される第1導電型の第2高濃度不純物含有領域、前記第2導電型の不純物含有領域上に形成されるゲート電極、を有する単位半導体部を前記第1低濃度不純物含有層に複数有し、前記高濃度不純物含有層と前記各第1高濃度不純物含有領域とが接続されており、各単位半導体部が有する前記第1高濃度不純物含有領域同志、前記第2高濃度不純物含有領域同志および前記ゲート電極同志が接続されており、前記各ゲート電極にかかる電圧によって、前記第1高濃度不純物含有領域と前記第2高濃度不純物含有領域との間に流れる電流を制御する、ことを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/78 301 D , H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 652 F

引用特許：

審査官引用 (10件)

パワーMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016677 出願人：日産自動車株式会社
特開平2-036561
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-049635 出願人：日本電装株式会社

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