特許
J-GLOBAL ID：200903051416869927
窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066536
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261614
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 Alを含まない窒化物系化合物半導体を、下地に対してほぼ完全に選択的にエッチングすることができ、しかもエッチングの際に損傷を伴わない窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法およびこの選択エッチング方法を用いて製造される半導体装置を提供する。【解決手段】 Cl2 ガスなどのハロゲンガスおよびHClガスなどのハロゲン化合物ガスのうちの少なくとも一方からなる第1のガスとH2 ガスおよびN2ガスなどの不活性ガスのうちの少なくとも一方からなる第2のガスとの混合ガスからなるエッチングガスを用い、Alを含む窒化物系化合物半導体をエッチングストップ層としてAlを含まない窒化物系化合物半導体を気相で熱化学的にエッチングする。
請求項（抜粋）：
ハロゲンガスおよびハロゲン化合物ガスのうちの少なくとも一方からなる第1のガスと水素ガスおよび不活性ガスのうちの少なくとも一方からなる第2のガスとの混合ガスからなるエッチングガスを用い、アルミニウムを含む窒化物系化合物半導体をエッチングストップ層としてアルミニウムを含まない窒化物系化合物半導体を選択的にエッチングするようにしたことを特徴とする窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法。
IPC (6件)：
H01L 21/306
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/302 P
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 29/80 H
